为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年

感谢亚汇网网友作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用EUV光刻的1γnm制程DRAM推迟到2025年，232层之后的NAND节点也被推迟。美光1γ制造技术中原定于2024年的某个时候推出，但因为美光必须在2023和2024财年减少新设备的支出，并减少DRAMbit出货量，它将不得不放慢DRAM在其1β和1γ制造技术上的增长速度。亚汇网了解到，该公司最新的1β制造节点——bit密度提高了35%，电源效率提高了15%，不过这一技术依然依赖于深紫外线（DUV）光刻技术。相比之下，三星和SK海力士已经在其第4代10nm级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用EUV光刻技术，并计划进一步强化其在第5代10nm级DRAM节点中的使用。“鉴于我们决定放慢1β（1-Beta）DRAM的生产速度，我们预计我们的1γ（1-gamma）技术将在2025年推出，”美光称“同样，我们将推迟232层3DNAND存储器以外的下一个NAND节点，以适应新的需求前景和所需的供应增长。”