BiCS10采用332层堆叠设计,由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂生产,延续了BiCS8时代导入的CMOS直接键合到阵列(CBA)和节距选通(OPS)两大新技术。BiCS101TbTLC支持ToggleDDR6.0、SCA协议、PI-LTT技术,闪存I/O接口速度达到4800MT/s。其实现了业界领先的29+Gb/mm?存储密度,相较BiCS8提升59%;输出功耗降低34%、读取能效提升30%;输入功耗降低10%、写入能效提升18%。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。
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