据介绍，晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标，更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片，直接降低单片成本。该6英寸晶锭厚度经中国计量科学研究院权威检测，晶锭厚度平均值70.58mm，极差0.12mm，已超过主流碳化硅晶锭20-50mm的高度。平湖实验室对VB氧化镓衬底进行了HRXRD双晶摇摆曲线测试，结果如下：5个点位的FWHM均值为38.71arcsec，均低于50arcsec，表明衬底整体结晶质量优异。此外，电阻率是影响器件正向导通效果的关键参数，其均匀性决定了器件性能的一致性，是量产良率的重要保障。中国计量科学研究院对该6英寸衬底进行了电学性能检测，电阻率均值：16.4(mΩ·cm)，均匀性：6.8%。测试结果表明，该电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。亚汇网注意到，第二十届全国晶体生长与材料学术会议于2026年8月22-25日在山东省济南市南郊宾馆召开，由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会主办、山东大学承办。届时，富加镓业将在会议同期展览中设立展台，携带众多款不同晶向的2-8英寸氧化镓衬底及外延产品集中亮相，涵盖(100)、(010)、(001)、(011)等多种晶面取向，▲2inch氧化镓衬底▲6inch氧化镓衬底
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