长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产：每张晶圆产出提升 50% 以上，24GB LPDDR5X 全面进入国产主流旗舰手机

感谢亚汇网网友据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米；同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。据亚汇网此前报道，