成本仅 DUV 光刻 1/10：璞璘气压式纳米压印设备量产 8" 光芯片晶圆

亚汇网了解到，PL-AS机台支持＜10nm的线宽分辨率，晶圆整面压印压力均匀性误差低于0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度可定制至百纳米级。同时其支持平面或曲面衬底，兼容硬质与柔性模板。相较传统的辊压法晶圆级NIL，PL-AS通过面施力保障晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，将RLT偏差控制到＜2nm，同时其吞吐量显著高于步进式的佳能NIL设备。此外，璞璘PL-AS作为气压式设备结构较DUV更为简单，无需昂贵的光学系统，还可以使用寿命更长的复合模板，这是其具备显著成本优势的原因。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。