三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产

而在合作新闻稿中，三星电子确认计划在2028年将HighNAEUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产，台积电则计划从2031年开始向先进逻辑制程量产中导入HighNAEUV。各方计划在2031年前建设12英寸掩膜试点线，为其于2033年在HighNAEUV先进制程中投产做好准备。相关阅读：《