SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

ASML在当地时间本月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动HighNAEUV生态系统转向面积更大的12英寸掩膜（光罩）。SK海力士正评估是否加入这一联盟。亚汇网注意到，三星电子在同日新闻稿中确认计划在2028年将HighNAEUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产；美光则曾表示，计划为第7代10nm级DRAM工艺1δ(1-delta)导入最新一代的EUV光刻设备。